Campagne de collecte 15 septembre 2024 – 1 octobre 2024
C'est quoi, la collecte de fonds?
recherche de livres
livres
Campagne de collecte:
19.5% pourcents atteints
S'identifier
S'identifier
les utilisateurs autorisés sont disponibles :
recommandations personnelles
Telegram bot
historique de téléchargement
envoyer par courrier électronique ou Kindle
gestion des listes de livres
sauvegarder dans mes Favoris
Personnel
Requêtes de livres
Recherche
Z-Recommend
Les sélections de livres
Les plus populaires
Catégories
La participation
Faire un don
Téléchargements
Litera Library
Faire un don de livres papier
Ajouter des livres papier
Search paper books
Ouvrir LITERA Point
La recherche des mots clé
Main
La recherche des mots clé
search
1
Электроника дефектов в полупроводниках
Мир
Матаре Г.
литература
дислокации
границы
задачи
зерен
свойства
электронные
границ
дислокационных
линеаризованные
малоугловые
полупроводниках
фотоэлектрические
анизотропия
бикристаллов
винтовые
дефектов
дислокационные
дислокация
краевая
краевые
напряжений
нарушения
основные
переноса
предисловие
приборах
распределение
рекомбинация
решетки
структур
структуры
технических
энергия
автора
автором
аксии
актуальность
аспирантов
барьеры
безызлучатедьная
вакансии
введение
ведущих
влиянию
вузов
выращивание
г.матаре
гетероэпитаксии
годы
Langue:
russian
Fichier:
PDF, 5.92 MB
Vos balises:
0
/
0
russian
2
Сравнительный анализ радиационных повреждений, механических и трибологических свойств α-Fe облученного мощными электронным и ионным пучками
Valyaev A.N.
,
Ladysev V.S.
,
Pogrebnjak A.D.
,
Valyaev A.A.
,
Plotnikov S.V.
мип
глубине
cм2
дислокаций
мкм
мэп
рис
облучения
плотность
мэв
слое
png
wmf
облучении
плотности
приповерхностном
микротвердость
мишени
плотностью
распределение
результаты
скалярной
средняя
структура
структуры
энергии
density
depth
волны
глубинах
давлением
импульсе
механических
микротвердости
наблюдается
нами
образца
поверхности
распределения
свойств
связано
скалярная
средней
тока
анализ
величины
гпа
деформации
дислокационной
кэв
Langue:
russian
Fichier:
DOC, 1.61 MB
Vos balises:
0
/
0
russian
3
Дефекты в полупроводниках: Рабочая программа дисциплины
ТГУ
дефекты
дефектов
полупроводниках
полупроводников
свойства
полупроводниковых
дислокации
кластеров
образования
приборов
англ
введение
воздействие
границы
двумерные
деформации
дислокаций
классификация
кристаллов
линейные
объемные
пер
примесей
радиационное
строения
структура
точечные
физики
электронная
эффект
атомные
влияние
границ
дефектами
деформация
диффузия
занятия
заряда
кристалла
кристаллах
л.с
легирование
литература
малоугловые
материалов
механизмы
миграции
образование
пластическая
пластической
Année:
2005
Langue:
russian
Fichier:
PDF, 173 KB
Vos balises:
0
/
0
russian, 2005
1
Suivez
ce lien
ou recherchez le bot "@BotFather" sur Telegram
2
Envoyer la commande /newbot
3
Entrez un nom pour votre bot
4
Spécifiez le nom d'utilisateur pour le bot
5
Copier le dernier message de BotFather et le coller ici
×
×